제11회 삼성전기 1nside Edge  논문대상 공모

▶ 응모대상
-  국내외 대학(원)생 및  Post Doc으로 공학관련 순수 또는 응용기술논문 작성 가능자
   (전공제한 없음, Post Doc의 경우 학교 소속인 자에 한함)
-  제출논문의 경우,  논문접수 마감일을 기준으로 국내외 공개 출판물에 발표되지 않은 논문

▶ 시상내역
-  대상(1편) : 1,000만원
-  금상(1편) : 500만원
-  은상(6편) : 300만원
-  동상(12편) : 100만원
-  특별상(2편) : 300만원
-  특별상  :  최다논문 제출LAB,  최다 수상LAB)

▶ 운영일정
-  논문 초록 접수  : 6.15(월) ~ 7.17(금)
-  초록심사 결과발표  : 8.17(월)
-  논문 본문 접수  : 8.17(월) ~ 9.16(수)
-  본문심사 결과발표  :10.12(월)
-  발표심사  : 10.26(월)
-  최종 수상자 발표  : 10.28(수)
-  시상식  : 10.30(금)

▶ 응모분야/주제
[소재기술]
- 무기재료(금속재료,  자성재료,  유전체 재료,  압전재료,  세라믹 재료, Glass  재료,  나노재료 等), 유기재료(고분자,  절연재료,  광학재료,  유기합성,  약품류 等), 복합재료 베젤잉크 및 인쇄, AF(Anti-Finger)코팅

[소자 및 공정기술]
- 박층 성형/인쇄(적층,  시트성형),  박막 공정,  인쇄회로 기판 공정  (도금,  회로,  가공, bumping  等), 표면처리(도금,  에칭,  세정,  노광/현상), MEMS  공정, MEMS Device(가속도 센서,  자이로센서,  압력센서,  마이크로 폰),  지자기센서,  보정기술(Calibration)
- PKG  공정(Wafer Level Package, Encapsulation, Wafer bonding, Interconnection, SMT, Die attach, Dicing  等)

[무선고주파]
- Analog/Mixed-signal IC, RF Front-End IC (PA, LNA, Switch, Filter  等), Antenna, SoC for wireless applications, Wireless power transfer, Wireless transceiver, Wireless Transceiver Architecture, MMIC

[소프트웨어]
- Algorithm, Image/signal processing,  Computer vision, Pattern Recognition, Machine Learning,  Artificial Intelligence, Real-time/Embedded Systems, Operating Systems,  Network Protocol, Network Security, Control theory

[기반기술]
나노 형태/성분 분석,  표면 및 계면 분석,  원자 탐침 분석 및 전자현미경 등 新나노분석 평가법
개발,  유기/무기 화학 정량 및 정성 분석,  고분자 특성 분석,  결정구조 및 재료 물성 분석,
나노 인덴터 등 국소영역 물성 평가법 개발,  레이저 분광/계측/가공,  마이크로 소자의 고장분석 및 신뢰성 향상 기술,  열/유체 해석,  구조/진동 해석,  전자장/RF/회로/EMI  해석,  광학/광소자 해석, Multi-Physics  및  Multi-scale  해석,  재료 해석 및 분자모델링

[생산기술]
설비자동화(정밀  motion  제어,  구조해석,  유동해석,  열전달),
측정기술(전기측정,  광학측정, Image Processing),  연속생산(R2R  설비,  코팅/인쇄)
인쇄전자,  정밀가공(금형 설계/가공, Laser  미세가공),  생산시스템(MES,  오염/이물 제어,  청정생산)

▶ 문의처
- 삼성전기  1nside Edge  논문대상 사무국
- Tel : 02-735-1172
- E-mail :  inside_edge@samsung.com
- 홈페이지  :  www.samsungsem.com/kr/1nside-edge/purpose/index.jsp